最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SON |
包装高度 | 1 |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 1500 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 75@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 2 |
包装宽度 | 5.9 |
供应商封装形式 | TDSON EP |
包装长度 | 5.15 |
PCB | 8 |
最大连续漏极电流 | 3.2 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | No Lead |
连续漏极电流 | 3.2 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 1.5 W |
漏源导通电阻 | 0.075 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TDSON |
封装 | Tape and Reel |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 2 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 100 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V, 100 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V, 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V, 2 V |
宽度 | 5.15 mm |
Qg - Gate Charge | 11 nC, 11 nC |
封装/外壳 | TDSON-8 |
下降时间 | 3 ns, 3 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 2 Channel |
商品名 | OptiMOS |
配置 | 2 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 6.5 S, 6.5 S |
Id - Continuous Drain Current | 13 A, 13 A |
长度 | 5.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 62 mOhms, 62 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 13 ns, 13 ns |
系列 | BSC750N10 |
身高 | 1.27 mm |
典型导通延迟时间 | 9 ns, 9 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 26 W |
上升时间 | 4 ns, 4 ns |
技术 | Si |
BSC750N10NDGATMA1也可以通过以下分类找到
BSC750N10NDGATMA1相关搜索
咨询QQ
热线电话